霍尔效应测试系统是集成Keithley2400/2600系列高精度源表和Semishare polaris高低温平台，采用范德堡尔法则设计，应用于高精度的测量半导体材料的载流子类型（P型/N型）、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数，能够适用于Si、SiGe、SiC、GaAs、InGaAs、InP、GaN等半导体材料。
| 产品型号 | HALL | 工作环境 | Windows98/ME/2000/NT/XP环境下 |
| 电力需求 | / | 操控方式 | / |
| 产品尺寸 | / | 设备重量 | / |
霍尔效应测试系统是一款应用于各种半导体材料高精度测量的软件集成系统。
●业界领先的keithley测试平台
●超高精度源表，实现精准测量
●模块化设计，性能稳定维护简便
●丰富的软件功能，操作便捷灵活
●可视化界面，数据分析清晰明了
●高低温变温环境，有效实现可靠性测试
| 霍尔效应测试系统 | ||
| 简介 |
本系统是集成keithley 2400/2600系列高精度源表和semishare Polaris 高低温平台采用范德堡尔法则设计的应用于高精度的测量半导体材料的载流子类型（P型/N型），载流子浓度，迁移率，电阻率，霍尔系数等参数。能够适用于 Si,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN等各种材. |
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| 软件操作环境 | Windows 98 / ME / 2000 / NT / XP环境下 | |
| 有效电流输出范围 | 6nA~100mA | |
| 有效电压测量范围 | -5~5V | |
| 载流子浓度 concentration(/cm3) | 107 – 1021 | |
| 迁移率Mobility(cm2/Vs) | 1~107 | |
| 电阻率Resistivity (Ohm.cm) | 10-4 - 107 | |
| A/B ratio | OK | |
| RHD(cm3/C) | OK | |
| RHC(cm3/C) | OK | |
| RH(cm3/C) | OK | |
| Sheet Resistance(Ohm) | OK | |
| 温度 | 温度(K):常温和77K 两个温度点 | |
| Option:77K~500K ,0.1摄氏度精度，可通过程序设定 | ||
| 仪器尺寸和重量 | 主机尺寸 | 89mm 高 × 213mm 宽 × 370mm 长 |
| 重量 | 3.21kg | |
| 工作环境要求 | 0°–50°C, 70%R.H. | |
| 存储环境要求 | –25°C to 65°C | |
| 范德堡尔法则终端转换器 | 200×120×110 mm (W×H×D) | |
| 净 重 | 7.7千克 | |
| 测量材料 | Si, SiGe, SiC, ZnO, GaAs, InGaAs, InP, GaN, ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)； | |
| 特点 | ||
| keithley测试平台 | 功能丰富的软件 | |
| 超高精度的源表 | 可视化的界面 | |
| 模块化的设计 | 高低温变温环境 | |
暂无数据
