测试技术
晶圆IV/CV直流测试包括：同轴（coaxial）-直流参数测量，漏电低至PA级别、三轴（triaxial）-直流参数测量，漏电低至FA级别/低噪声，IV、CV、P-IV测试广泛用于测量半导体参数,尤其是晶圆级MOSFET结构等。此外利用IV、CV、P-IV测量还可以对其它类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管BJT、JFET器件,光伏电池、MEMS器件、有机TFT显示器、光电二极管、碳纳米管和多种其它半导体器件。这类测量的基本特征非常适用于各种应用,提高工艺和器件的性能,检测工艺参数和失效分析机制等。
近年我国对于半导体产业的重视和大力度的资源投入，其中大学实验室的硬件设施升级改造更新则更是重点投入之一，但因大学教育在资源投入配比上更多出于成本考虑，因此我们既要在预算有限的条件下，不仅要保证设备测试测量的高精度标准，同时也要考虑产品今后的重复利用率，避免资源浪费。SEMISHARE通过多年在大学院校积累的市场及合作经验，总结教育实验的探针台设备应有如下指标：
● 基于大学实验室环境要求，设备在保证高精度测试的前提下，节省设备占有空间
● 不降低专业测试标准质量前提下，提供更具有价格竞争力的探针台设备
● 操作更简单方便
● 最大限度减少使用操作培训工作量
● 结构稳定，测试精度高
● 可快速获取测量数据
● 可模块定制，针对多种的应用实现简易的重新配置和升级
● 适应性强，当需求提高和增加时，可重新进行设备升级和功能扩展
逻辑电路晶圆
用于制造微处理器、存储器等数字逻辑电路，需通过IV测试评估晶体管阈值电压、漏电流等参数，并通过CV测试分析栅氧界面质量
分立器件晶圆
包括二极管、三极管等，IV测试用于测量正向压降、反向击穿电压等特性，CV测试则用于分析PN结掺杂浓度分布
光电子晶圆
如光电探测器、激光器，IV测试评估光电流响应，CV测试分析载流子行为与界面态密度
宽禁带半导体晶圆
GaN/SiC等材料器件需高精度CV测试以获取界面陷阱电荷信息，IV测试则用于评估耐压与导通特性
纳米材料与柔性电子：IV测试分析导电性，CV测试评估介电层均匀性。
汽车电子器件：宽温区IV/CV测试（-60℃~300℃）验证可靠性
